Lors du tirage du silicium monocristallin, la température de fusion est extrêmement élevée, à environ 1 500°C, mais l’excellente durabilité thermique du graphite isotropique permet de prolonger la durée de vie du produit.

Les produits de haute pureté sont utilisés dans les environnements où il est nécessaire d’éviter les contaminants ; les produits de revêtement (PERMA KOTE® et PYROGRAPH®) sont utilisés dans les environnements où il est nécessaire d’éviter les particules et les réactions avec le gaz désorbé et le gaz de SiO ; et les C/C composites légers et faciles à manipuler sont utilisés dans les grands fours.

Dans le processus d’épitaxie, les plaquettes de silicium sont chauffées dans un four d’épitaxie à environ 1 200°C, et du tétrachlorure de silicium (SiCl4) et du trichlorure de silane (SiHCl3) vaporisés sont ajoutés au four pour induire une croissance épitaxiale à la surface des plaquettes.

Les suscepteurs PERMA KOTE® (revêtus de SiC) – qui présentent une excellente durabilité thermique, une résistance chimique et une résistance à la poussière – sont donc largement utilisés.

De plus, comme les suscepteurs entrent en contact avec les plaquettes, leur précision dimensionnelle et la rugosité de leur surface affectent la distribution de la température des plaquettes. Des couches de SiC présentant une précision dimensionnelle et un lissage élevés sont donc nécessaires.

Grâce à une technologie propriétaire pour le traitement du substrat de graphite et le contrôle de la couche de SiC, combinée à un support technique qui s’appuie sur nos superbes capacités d’analyse, Toyo Tanso peut proposer le produit idéal pour répondre à vos besoins.

Le procédé MOCVD implique l’utilisation de gaz ammoniac (NH3), ce qui ne permet pas d’éviter la corrosion précoce lors de l’utilisation de graphite non revêtu, et nécessite également un environnement de haute pureté, à l’abri de la poussière. Les suscepteurs PERMA KOTE® (revêtus de SiC) sont donc largement utilisés pour leur excellente durabilité thermique et leurs propriétés de résistance aux produits chimiques et à la poussière.

De plus, comme les suscepteurs entrent en contact avec les plaquettes, leur précision dimensionnelle et la rugosité de leur surface affectent la distribution de la température des plaquettes. Des couches de SiC présentant une précision dimensionnelle et un lissage élevés sont donc nécessaires.

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De plus, comme les suscepteurs entrent en contact avec les plaquettes, leur précision dimensionnelle et la rugosité de leur surface affectent la distribution de la température des plaquettes. Des couches de SiC présentant une précision dimensionnelle et un lissage élevés sont donc nécessaires.

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