GlobalNetwork
Global Site
Americas
United States
Mexico
Europe
France
Germany
Asia - Pacific
Japan
China
Taiwan
Korea
Thailand
Singapore
India
Indonesia

TOYO TANSO – l’inspiration au service de l’innovation

France / English | French
ACCUEIL Produits Traitement de surface Graphite avec revêtement SiC PERMA KOTE™

Graphite avec revêtement SiC PERMA KOTE™

Réacteurs refroidis au gaz à haute température
PERMA KOTE™ est un produit créé en appliquant sur la surface de graphite isotropique hautement purifié un revêtement formé d’une fine couche de carbure de silicium à l’aide du processus de déposition chimique en phase vapeur (Chemical Vapor Deposition, CVD) propriété de Toyo Tanso.

Suscepteur MOCVD
 

Graphite spécial

Réflecteur (Équipement de fabrication
de silicium monocristallin)

Graphite spécial

Suscepteur pancake

Suscepteur pancake

Suscepteur de fût

Suscepteur de fût

Caractéristiques

  • La couche en carbure de silicium se caractérise par une excellente résistance chimique, à l’oxydation et à la corrosion.
  • La couche en carbure de silicium est stable à des températures élevées et elle est extrêmement dure.
  • Evite la séparation et la dispersion des particules de graphites ainsi que les émissions de gaz et des impuretés depuis le substrat graphite.
  • Le substrat graphite et la couche en carbure de silicium sont caractérisés par une pureté élevée.
  • Le substrat graphite et la couche en carbure de silicium sont caractérisés par une conductivité thermique élevée ainsi que d'excellentes propriétés de distribution de la chaleur.
  • Le matériau est conçu de manière à éviter les fissures et les éclats.

Application

  • Suscepteur pour croissance de silicium épitaxiale
  • Equipement de fabrication de silicium monocristallin
  • Suscepteurs MOCVD
  • Eléments chauffants
  • Diffuseurs de chaleur
  • Composant à résistance d'oxydation

Epaisseur du revêtement

Epaisseur du revêtement
L'épaisseur standard est de 120 μm ; ceci peut toutefois être modifié dans une plage de 20 à 500 μm.

Propriétés/Données du test

Résistance à la corrosion

Nom Formule chimique Concentration (%) Température (°C) Durée (h) Variation de masse (g/m2)
Acide hydrofluorique HF 47 80 144 -1,0
Acide hydrochlorique HCl 36 Point d'ébullition 144 0
Acide sulfurique H2SO4 97 110 144 0
Acide nitrique HNO3 61 Point d'ébullition 144 0
Acide hydrofluorique + acide nitrique HF+HNO3 (1:1) 100 80 288 -1,0
Acide citrique + acide sulfurique HNO3+H2SO4 (1:1) 100 25 288 -1,0
Hydroxyde de sodium NaOH 20 80 288 0
Acide phosphorique H3PO4 100 100 192 -1,0
Acide nitrohydrochlorique HCl+HNO3 (3:1) 100 80 192 0

Réactivité avec différentes substances (dans le vide)

Réactif Formule chimique 1 200°C x 3h 1 600°C x 3h
Aluminium Al
Bore B
Cobalt Co ×
Chrome Cr ×
Cuivre Cu
Fer Fe × ×
Molybdène Mo
Nickel Ni ×
Plomb Pb ×
Silicium Si
Etain Sn
Tantale Ta
Titane Ti
Vanadium V ×
Tungstène W
Alumine Al2O3 ×
Oxyde de bore B2O3
Oxyde de chrome (Ⅲ) Cr2O3 ×
Oxyde de fer (Ⅲ) Fe2O3 × ×
Oxyde de magnésium MgO
Oxyde de manganèse (IV) MnO2 ×
Oxyde de plomb (Ⅱ) PbO
Oxyde de silicium SiO2
Oxyde de titane (IV) TiO2
Oxyde de vanadium (V) V2O5
Oxyde de zirconium (IV) ZrO2

◎...Aucune réaction ○...Légère réaction
△...Réaction ×...Réaction significative

Propriétés de la couche

Structure cristalline
Structure β-SiC (système cubique)
Structure β-SiC (système cubique)
Densité de masse 3,2 mg/m3
Température de décomposition 2 700°C ou plus
Dureté 2800 HK
Résistivité électrique 0,2 Ω・m (par la méthode de la chute du potentiel)
Résistance à la flexion 170 MPa (par pliage à 3 points)
Module de Young 320 GPa (par la méthode de déflection)

Exemple d’analyse d’impureté masse ppm

Elément Contenu
B 0,15
Na 0,02
Al 0,01
Cr <0,1
Fe 0,02
Ni < 0,01

* Méthode de mesure : spectrométrie de masse à décharge continue
* Les chiffres ci-dessus sont des exemples de mesures et ne sont pas être garantis.
Avant d’utiliser l’un de nos produits, veuillez vous référer à notre catalogue et n’hésitez pas à contacter notre service commercial pour vous conseiller sur le choix de la qualité la plus appropriée.