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HOME 製品情報 事業領域 半導体製造

半導体製造

シリコン単結晶製造用

シリコン単結晶引上げ炉(CZ炉)用部材として幅広い黒鉛製品を取り揃えております。
大口径品や、表面処理を施したロングライフ品も提供できます。

シリコン単結晶製造用
単結晶シリコンを引き上げる際、溶解温度は約1500℃と極めて高くなりますが、耐熱性に優れた等方性黒鉛はライフアップに貢献しています。

不純物を嫌う環境下では高純度品が、脱ガス・SiOガスとの反応やパーティクルを嫌う環境ではコーティング品(SiCコート被覆材 PERMA KOTE®や熱分解炭素被覆材 PYROGRAPH®)が使われ、また大型炉には軽量でハンドリングしやすいC/Cコンポジットが使用されています。

使用例

るつぼ

シリコン単結晶を製造する際、石英るつぼを保持するために、高強度で消耗の少ない当社の等方性高純度黒鉛るつぼが最適です。

ヒーター

熱伝導率のよい等方性黒鉛は半導体・太陽電池製造用の発熱体として必要不可欠な材料です。
当社は要求抵抗値などの使用条件に合わせたヒーター設計の提案や、複雑な形状の加工が可能です。

特徴

  • 耐熱性に優れている
  • 熱伝導性に優れている
  • 高密度
  • 高強度
  • 軽量
  • 特性のバラツキが少ないため安定的に使用できる
  • 超高純度処理が可能

シリコンエピタキシャルウエハー用

耐薬品性、防塵性、寸法精度に優れた当社のPERMA KOTE®製品はエピタキシャルウェハーを製造する工程で活躍しています。

シリコンエピタキシャルウエハー用
エピタキシャルプロセスでは、シリコンウェハーをエピタキシャル炉の中で約1200℃まで加熱、気化された四塩化珪素(SiCl4)、三塩化シラン(SiHCl3)を炉内に流し、ウェハー表面上エピタキシャル成長させます。

そのため、耐熱性、耐薬品性、防塵性に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®サセプターが広く採用されています。

また、サセプターはウェハーに接触するパーツであり、その寸法精度や表面粗さがウェハーの温度分布に影響を及ぼすため、高い寸法精度と滑らかなSiC膜が要求されます。

当社は、独自の技術による黒鉛基材加工やSiC膜制御、また高い分析力を活かした技術サポートにより、お客様の要求に応じた最適な製品を提供いたします。

特徴

  • 耐熱性に優れている
  • 寸法精度が高い
  • 防塵性に優れている
  • 耐酸化性に優れている
  • ガスシール性に優れている

化合物半導体用

耐薬品性、防塵性、寸法精度に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®製品はMOCVD用サセプターとしてLEDの製造工程で活躍、世界中のユーザーに広く採用されています。

化合物半導体用
MOCVDプロセスではアンモニア(NH3)ガスを使用するため、非コート黒鉛では早期の腐食が避けられず、また純度や防塵が求められる環境であるため、耐熱性、耐薬品性、防塵性に優れたSiCコート被覆材 PERMA KOTE®サセプターが広く採用されています。

また、サセプターはウェハーに接触するパーツであり、その寸法精度や表面粗さがウェハーの温度分布に影響を及ぼすため、高い寸法精度と滑らかなSiC膜が要求されます。

当社は、独自の技術による黒鉛基材加工やSiC膜制御、また高い分析力を活かした技術サポートにより、お客様の要求に応じた最適な製品を提供いたします。

Moreover, because susceptors come into contact with the wafers, their dimensional precision and surface roughness affect wafer temperature distribution. SiC layers with high dimensional precision and smoothness are therefore required.

Thanks to proprietary technology for graphite substrate processing and SiC layer control combined with technical support that leverages our superb analytic capabilities, Toyo Tanso can offer the ideal product to suit your requirements.

特徴

  • 耐熱性に優れている
  • 寸法精度が高い
  • 防塵性に優れている
  • 耐酸化性に優れている
  • 耐熱性に優れている