반도체 생산

단결정 실리콘 생산 장비

토요탄소는 단결정 실리콘 공정의 부품(CZ 용광로)으로 사용되는 여러 가지 흑연 제품을 제공합니다. 그리고 대구경 제품과 수명이 긴 표면 처리 제품도 공급할 수 있습니다.

단결정 실리콘을 인상할 때는 녹는 온도가 약 1500°C로 매우 높지만 등방성 흑연은 내열성이 매우 우수하여 제품 수명 연장에 도움이 됩니다.

오염물을 피해야 하는 환경에서는 고순도 제품이 사용되고, 입자의 발생과 흡착가스 및 SiO 가스와의 반응을 피해야 하는 환경에서는 코팅 제품(PERMA KOTE® 및 PYROGRAPH®)이 사용되며, 대형 용광로에는 가볍고 취급이 용이한 C/C 복합재가 사용됩니다.

제품

흑연 도가니

단결정 실리콘 제조에 사용되는 석영 도가니를 보호하기 위해 많은 제조사들이 강도가 높고 마모가 최소화되는 당사의 고순도 등방성 흑연을 사용하고 있습니다.

히터

흑연은 ppm 수준까지 정화할 수 있으며 복잡한 형태로 쉽게 가공할 수 있습니다. 흑연은 반도체 생산에 사용되는 가열 소자에 반드시 필요한 재료입니다.

특징

내열성이 뛰어납니다.
뛰어난 열전도율
높은 밀도
높은 강도
경량
특성의 변화가 거의 없어서 안정적인 사용이 가능
초고순도 처리가 가능

실리콘 Epitaxial 성장

토요탄소의 PERMA KOTE®는 내약품성, 방진 속성, 그리고 치수의 정밀도가 뛰어나서 에피택시얼 웨이퍼 제조 공정에 널리 사용되고 있습니다.

카탈로그
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에피택시얼 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 에피택시로에서 약 1200°C로 가열하고 기화된 사염화규소(SiCl4)와 삼염화실레인(SiHCl3)을 에피택시로에 첨가하여 웨이퍼 표면의 에피택시얼 성장을 유도합니다.

따라서 내열성, 내약품성, 그리고 방진성이 뛰어난 PERMA KOTE® 서셉터(SiC 코팅)가 널리 사용됩니다.

그리고 서셉터는 웨이퍼와 접촉하기 때문에 그 치수 정밀도와 표면 거칠기가 웨이퍼 온도 분포에 영향을 줍니다. 그러므로 치수 정밀도와 평활도가 높은 SiC 층이 필요합니다.

토요탄소는 흑연 기재 가공과 SiC 층 제어에 관한 독점 기술과 뛰어난 분석 능력을 활용한 기술 지원을 결합하여 고객의 요구사항에 적합한 이상적인 제품을 제공할 수 있습니다.

특징

내열성이 뛰어납니다.
뛰어난 치수 정확도
우수한 방진성
뛰어난 내산화성
우수한 밀폐 속성

화합물 반도체

PERMA KOTE®는 내약품성, 방진 속성, 그리고 치수의 정밀도가 뛰어나서 LED 제조 공정에 널리 사용되고 있습니다.

카탈로그
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MOCVD 공정에서는 암모니아(NH3) 가스가 사용되기 때문에 코팅되지 않은 흑연을 사용하면 빨리 부식되는 현상을 피할 수 없으며 고순도 방진 환경도 필요합니다. 그러므로 내열성과 내약품성, 그리고 방진 속성이 우수한 PERMA KOTE® 서셉터(SiC 코팅)가 널리 사용되고 있습니다.

그리고 서셉터는 웨이퍼와 접촉하기 때문에 그 치수 정밀도와 표면 거칠기가 웨이퍼 온도 분포에 영향을 줍니다. 그러므로 치수 정밀도와 평활도가 높은 SiC 층이 필요합니다.

토요탄소는 흑연 기재 가공과 SiC 층 제어에 관한 독점 기술과 뛰어난 분석 능력을 활용한 기술 지원을 결합하여 고객의 요구사항에 적합한 이상적인 제품을 제공할 수 있습니다.

그리고 서셉터는 웨이퍼와 접촉하기 때문에 그 치수 정밀도와 표면 거칠기가 웨이퍼 온도 분포에 영향을 줍니다. 그러므로 치수 정밀도와 평활도가 높은 SiC 층이 필요합니다.

토요탄소는 흑연 기재 가공과 SiC 층 제어에 관한 독점 기술과 뛰어난 분석 능력을 활용한 기술 지원을 결합하여 고객의 요구사항에 적합한 이상적인 제품을 제공할 수 있습니다.

특징

내열성이 뛰어납니다.
뛰어난 치수 정확도
우수한 방진성
뛰어난 내산화성
우수한 밀폐 속성