เมื่อดึงซิลิคอนโมโนคริสตัลไลน์ อุณหภูมิหลอมเหลวจะสูงมากที่ประมาณ 1500 องศาเซลเซียส แต่ความทนทานทางความร้อนที่ดีเยี่ยมของ isotropic graphite จะช่วยยืดอายุผลิตภัณฑ์

ผลิตภัณฑ์ที่มีความบริสุทธิ์สูงถูกนำมาใช้ในสภาพแวดล้อมที่จำเป็นต้องหลีกเลี่ยงสิ่งปนเปื้อน ผลิตภัณฑ์เคลือบ (PERMA KOTE® และ PYROGRAPH®) ใช้ในสภาพแวดล้อมที่จำเป็นต้องหลีกเลี่ยงอนุภาคและปฏิกิริยากับก๊าซที่ดูดซับและก๊าซ SiO และใช้วัสดุ isotropic graphite น้ำหนักเบาที่ใช้งานง่ายในเตาเผาขนาดใหญ่

ในกระบวนการเอพิแทกเซียล ซิลิคอนเวเฟอร์จะถูกให้ความร้อนในเตาหลอมเอพิแทกเซียล ที่อุณหภูมิประมาณ 1200 องศาเซลเซียส และเติมซิลิคอนเตตระคลอไรด์ (SiCl4) และไซเลนไตรคลอไรด์ (SiHCl3) ที่ระเหยเป็นไอลงในเตาเผาเพื่อกระตุ้นการปลูกผลึกแบบเอพิแทกเซียลบนพื้นผิวของเวเฟอร์

ซัสเซปเตอร์ PERMA KOTE® (เคลือบ SiC) ซึ่งมีความทนทานต่อความร้อนที่ดีเยี่ยม ทนต่อสารเคมี และทนต่อฝุ่น จึงถูกนำมาใช้อย่างกว้างขวาง

ยิ่งไปกว่านั้น เนื่องจากซัสเซปเตอร์สัมผัสกับแผ่นเวเฟอร์ ความแม่นยำของมิติและความขรุขระของพื้นผิวจึงส่งผลต่อการกระจายอุณหภูมิของแผ่นเวเฟอร์ ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีชั้น SiC ที่มีความแม่นยำสูงและมีความเรียบ

ด้วยเทคโนโลยีที่เป็นเอกสิทธิ์เฉพาะสำหรับการประมวลผลพื้นผิวกราไฟท์และการควบคุมชั้น SiC รวมกับการสนับสนุนทางเทคนิคที่ยกระดับความสามารถในการวิเคราะห์ที่ยอดเยี่ยมของเรา Toyo Tanso จึงสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ในอุดมคติเพื่อตอบสนองความต้องการของคุณ

กระบวนการ MOCVD เกี่ยวข้องกับการใช้ก๊าซแอมโมเนีย (NH3) ซึ่งทำให้ไม่สามารถหลีกเลี่ยงการกัดกร่อนในช่วงต้นเมื่อใช้กราไฟท์ที่ไม่เคลือบ และยังต้องการสภาพแวดล้อมที่มีความบริสุทธิ์สูงและป้องกันฝุ่น ซัสเซปเตอร์ PERMA KOTE® (เคลือบ SiC) จึงมีการใช้งานกันอย่างแพร่หลายในด้านความทนทานต่อความร้อนที่ดีเยี่ยมและคุณสมบัติทนสารเคมีและฝุ่นละออง

ยิ่งไปกว่านั้น เนื่องจากซัสเซปเตอร์สัมผัสกับแผ่นเวเฟอร์ ความแม่นยำของมิติและความขรุขระของพื้นผิวจึงส่งผลต่อการกระจายอุณหภูมิของแผ่นเวเฟอร์ ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีชั้น SiC ที่มีความแม่นยำสูงและมีความเรียบ

ด้วยเทคโนโลยีที่เป็นเอกสิทธิ์เฉพาะสำหรับการประมวลผลพื้นผิวกราไฟท์และการควบคุมชั้น SiC รวมกับการสนับสนุนทางเทคนิคที่ยกระดับความสามารถในการวิเคราะห์ที่ยอดเยี่ยมของเรา Toyo Tanso จึงสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ในอุดมคติเพื่อตอบสนองความต้องการของคุณ

ยิ่งไปกว่านั้น เนื่องจากซัสเซปเตอร์สัมผัสกับแผ่นเวเฟอร์ ความแม่นยำของมิติและความขรุขระของพื้นผิวจึงส่งผลต่อการกระจายอุณหภูมิของแผ่นเวเฟอร์ ดังนั้นจึงจำเป็นต้องมีชั้น SiC ที่มีความแม่นยำสูงและมีความเรียบ

ด้วยเทคโนโลยีที่เป็นเอกสิทธิ์เฉพาะสำหรับการประมวลผลพื้นผิวกราไฟท์และการควบคุมชั้น SiC รวมกับการสนับสนุนทางเทคนิคที่ยกระดับความสามารถในการวิเคราะห์ที่ยอดเยี่ยมของเรา Toyo Tanso จึงสามารถนำเสนอผลิตภัณฑ์ในอุดมคติเพื่อตอบสนองความต้องการของคุณ