Al extraer silicio monocristalino, la temperatura de fusión es extremadamente alta a aproximadamente 1,500°C, pero la excelente durabilidad térmica del grafito isotrópico ayuda a prolongar la vida útil del producto.

Los productos de alta pureza se utilizan en entornos donde es necesario evitar contaminantes, los productos de recubrimiento (PERMA KOTE® y PYROGRAPH®) se utilizan en entornos donde es necesario evitar partículas y reacciones con el gas desorbido y el gas SiO, y los compuestos C/C livianos y fáciles de manejar se utilizan en hornos grandes.

En el proceso epitaxial, las obleas de silicio se calientan en un horno epitaxial a aproximadamente 1,200°C, y se añaden al horno tetracloruro de silicio vaporizado (SiCl4) y tricloruro de silano (SiHCl3) para inducir el crecimiento epitaxial en la superficie de las obleas.

Los susceptores de PERMA KOTE® (recubiertos de SiC), que tienen una excelente durabilidad térmica, resistencia química y resistencia al polvo, se emplean ampliamente.

Además, como los susceptores entran en contacto con las obleas, su precisión dimensional y la rugosidad de la superficie afectan la distribución de la temperatura de la oblea. Por lo tanto, se requieren capas de SiC con alta precisión dimensional y suavidad.

Gracias a la tecnología patentada para el procesamiento de sustratos de grafito y el control de la capa de SiC combinados con el soporte técnico que aprovecha nuestras excelentes capacidades analíticas, Toyo Tanso puede ofrecer el producto ideal para satisfacer sus necesidades.

El proceso de MOCVD (siglas en inglés para Depósito de Vapores Químicos Organometálicos) implica el uso de gas amoniaco (NH3), lo que hace que sea imposible evitar la corrosión temprana cuando se usa grafito no recubierto, y también requiere un entorno de alta pureza y resistente al polvo. Por lo tanto, los susceptores PERMA KOTE® (recubiertos de SiC) se emplean ampliamente por su excelente durabilidad térmica y sus propiedades de resistencia química y al polvo.

Además, como los susceptores entran en contacto con las obleas, su precisión dimensional y la rugosidad de la superficie afectan la distribución de la temperatura de la oblea. Por lo tanto, se requieren capas de SiC con alta precisión dimensional y suavidad.

Gracias a la tecnología patentada para el procesamiento de sustratos de grafito y el control de la capa de SiC combinados con el soporte técnico que aprovecha nuestras excelentes capacidades analíticas, Toyo Tanso puede ofrecer el producto ideal para satisfacer sus necesidades.

Además, como los susceptores entran en contacto con las obleas, su precisión dimensional y la rugosidad de la superficie afectan la distribución de la temperatura de la oblea. Por lo tanto, se requieren capas de SiC con alta precisión dimensional y suavidad.

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