Durante l’estrazione del silicio monocristallino, la temperatura di fusione è estremamente alta, circa 1.500 °C; ma l'eccellente durabilità termica della grafite isotropica aiuta a prolungare la vita del prodotto.

I prodotti di alta purezza vengono utilizzati in ambienti in cui è necessario evitare contaminanti; i prodotti di rivestimento (PERMA KOTE® e PYROGRAPH®) vengono utilizzati in ambienti in cui è necessario evitare particelle e reazioni con gas desorbito e gas SiO; i compositi C/C, leggeri e facili da maneggiare, vengono invece utilizzati in grandi forni.

Nel processo epitassiale, i wafer di silicio vengono riscaldati in un forno epitassiale a circa 1.200 °C, e il tetracloruro di silicio vaporizzato (SiCl4) e il tricloruro di silano (SiHCl3) vengono aggiunti al forno per indurre la crescita epitassiale sulla superficie dei wafer.

Per questo motivo vengono ampiamente utilizzati i suscettori PERMA KOTE® (rivestiti in SiC), che esprimono una durabilità termica, una resistenza chimica e una resistenza alla polvere eccellenti.

Inoltre, dal momento che i suscettori entrano in contatto con i wafer, la loro precisione dimensionale e la rugosità della superficie influenzano la distribuzione della temperatura sul wafer. Sono quindi necessari strati di SiC con una precisione dimensionale e una levigatezza elevate.

Grazie alla tecnologia proprietaria per la lavorazione dei substrati in grafite e il controllo dello strato di SiC, combinati con un supporto tecnico in grado di sfruttare appieno le nostre eccellenti capacità analitiche, Toyo Tanso è sempre in grado di offrirti il prodotto ideale per soddisfare le tue esigenze.

Il processo MOCVD implica l'uso di gas ammoniaca (NH3), che rende impossibile evitare la corrosione precoce quando si usa grafite non rivestita, e richiede anche un ambiente ad alta purezza e a prova di polvere. I suscettori PERMA KOTE® (rivestiti in SiC) vengono quindi ampiamente utilizzati per la loro eccellente durabilità termica e le loro proprietà di resistenza agli agenti chimici e alla polvere.

Inoltre, dal momento che i suscettori entrano in contatto con i wafer, la loro precisione dimensionale e la rugosità della superficie influenzano la distribuzione della temperatura sul wafer. Sono quindi necessari strati di SiC con una precisione dimensionale e una levigatezza elevate.

Grazie alla tecnologia proprietaria per la lavorazione dei substrati in grafite e il controllo dello strato di SiC, combinati con un supporto tecnico in grado di sfruttare appieno le nostre eccellenti capacità analitiche, Toyo Tanso è sempre in grado di offrirti il prodotto ideale per soddisfare le tue esigenze.

Inoltre, dal momento che i suscettori entrano in contatto con i wafer, la loro precisione dimensionale e la rugosità della superficie influenzano la distribuzione della temperatura sul wafer. Sono quindi necessari strati di SiC con una precisione dimensionale e una levigatezza elevate.

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