Grafite con rivestimento SiC PERMA KOTE™

Reattori raffreddati a gas ad alta temperatura

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PERMA KOTE™ è un prodotto creato rivestendo la superficie di una grafite isotropa altamente purificata con uno strato sottile di carburo di silicio mediante un processo brevettato da Toyo Tanso di deposizione chimica da vapore (CVD).

Suscettore MOCVD

Riflettore (apparecchiatura di produzione
silicio monocristallino)

Suscettore di tipo Pancake

Suscettore a fusto

Caratteristiche

Lo strato di carburo di silicio ha un'eccellente resistenza all'ossidazione, alla corrosione e alle sostanze chimiche.
È stabile ad alte temperature ed estremamente duro.
Impedisce la separazione e la dispersione di particelle di grafite, nonché l’emissione di gas e di impurità dal substrato di grafite.
Sia il substrato di grafite sia lo strato di carburo di silicio sono di elevata purezza.
Hanno un'elevata conduttività termica e proprietà di distribuzione di calore eccellenti.
Il materiale è progettato per evitare la formazione di fratture e la delaminazione.

Applicazione

Suscettore per crescita epitassiale di silicio
Attrezzature di produzione per silicio a cristallo singolo
Suscettori MOCVD
Riscaldatori
Diffusori di calore
Componenti di resistenza all’ossidazione

Spessore del rivestimento

Lo spessore standard è di 120 μm; tuttavia, questo valore può essere modificato entro un intervallo da 20 a 500 μm.

Proprietà/dati dei test

Resistenza alla corrosione

Nome	Formula chimica	Concentrazione (%)	Temperatura (°C)	Tempo (h)	Cambiamento in massa (g/m2)
Acido fluoridrico	HF	47	80	144	-1,0
Acido cloridrico	HCl	36	Punto di ebollizione	144	0
Acido solforico	H₂SO₄	97	110	144	0
Acido nitrico	HNO₃	61	Punto di ebollizione	144	0
Acido fluoridrico + acido nitrico	HF+HNO₃ (1:1）	100	80	288	-1,0
Acido nitrico + acido solforico	HNO₃+H₂SO₄ (1:1）	100	25	288	-1,0
Idrossido di sodio	NaOH	20	80	288	0
Acido fosforico	H₃PO₄	100	100	192	-1,0
Acido nitroidroclorico	HCl+HNO₃ (3:1)	100	80	192	0

Reattività con varie sostanze (nel vuoto)

Reagente	Formula chimica	1.200 °C x 3 h	1.600 °C x 3 h
Alluminio	Al	○	△
Boro	B	◎	◎
Cobalto	Co	△	×
Cromo	Cr	△	×
Rame	Cu	○	△
Ferro	Fe	×	×
Molibdeno	Mo	◎	○
Nichel	Ni	◎	×
Piombo	Pb	△	×
Silicio	Si	◎	○
Stagno	Sn	◎	△
Tantalio	Ta	◎	◎
Titanio	Ti	◎	○
Vanadio	V	◎	×
Tungsteno	W	◎	○
Ossido di alluminio	Al₂O₃	◎	×
Ossido di boro	B₂O₃	◎	◎
Ossido di cromo (Ⅲ)	Cr₂O₃	◎	×
Ossido di ferro (Ⅲ)	Fe₂O₃	×	×
Ossido di magnesio	MgO	◎	△
Ossido di manganese (Ⅳ)	MnO₂	◎	×
Ossido di piombo (Ⅱ)	PbO	○	△
Ossido di silicio	SiO₂	◎	△
Ossido di titanio (Ⅳ)	TiO₂	◎	○
Ossido di vanadio (Ⅴ)	V₂O₅	◎	△
Ossido di zirconio (Ⅳ)	ZrO₂	◎	○

◎...Nessuna reazione ○...Leggera reazione
△...Reazione ×...Reazione significativa

Proprietà dello strato

Struttura a cristalli	Struttura β-SiC (sistema cubico)
Densità apparente	3,2 Mg/m³
Temperatura di decomposizione	2.700 °C o superiore
Durezza	2800 HK
Resistività elettrica	0,2 Ω・m (attraverso il metodo di caduta del potenziale)
Resistenza alla flessione	170 MPa (attraverso la piegatura a 3 punti)
Modulo di Young	320 GPa (attraverso il metodo di deflessione)

Esempio di analisi delle impurità massa ppm

Elemento	Contenuto
B	0,15
Na	0,02
Al	0,01
Cr	< 0,1
Fe	0,02
Ni	< 0,01

*Metodo di misurazione: spettrometria di massa a scarica a bagliore
*Le cifre precedenti sono esempi di misurazione e non possono essere garantite.
Prima di usare effettivamente uno dei nostri prodotti, consultare il catalogo e contattare il nostro ufficio vendite per ottenere una consulenza sulla selezione del grado più appropriato.