Mit SiC beschichteter PERMA KOTE™-Graphit

PERMA KOTE™ ist ein Produkt, auf das mittels von Toyo Tanso geschütztem CVD-Verfahren (chemische Gasphasenabscheidung) eine dünne Schicht Siliziumcarbid auf hochreinen isotropen Graphit aufgebracht wird.

MOCVD-Suszeptor

Reflektor (Anlagen für die
Herstellung von Einkristallsilizium)

Pancake-Suszeptor

Barrel-Suszeptor

Eigenschaften

Die Siliziumcarbidschicht verfügt über eine herausragende Oxidations-, Korrosions- und chemische Beständigkeit.
Sie ist zudem bei hohen Temperaturen stabil und extrem hart.
Sie verhindert die Abgabe von Graphitpartikeln sowie die Diffusion von Gas und Verunreinigungen aus dem Graphitsubstrat.
Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumcarbidschicht sind von hoher Reinheit.
Graphitsubstrat und Siliziumcarbidschicht besitzen zudem eine hohe Wärmeleitfähigkeit und exzellente Wärmeverteilungseigenschaften.
Das Material ist so aufgebaut, dass es weder zur Rissbildung noch zur Delaminierung kommt.

Anwendung

Suszeptor für Silizium-Epitaxie
Anlagen für die Herstellung von Einkristallsilizium
MOCVD-Suszeptoren
Heizer
Wärmeableiter
Oxidationsbeständige Komponenten

Schichtdicke

Die Standarddicke beträgt 120 μm; dieser Wert kann aber innerhalb des Bereichs von 20 bis 500 μm eingestellt werden.

Eigenschaften/Testdaten

Korrosionsbeständigkeit

Bezeichnung	Chemische Formel	Konzentration (%)	Temperatur (°C)	Zeit (h)	Masseänderung (g/m2)
Flusssäure	HF	47	80	144	-1,0
Salzsäure	HCl	36	Siedepunkt	144	0
Schwefelsäure	H₂SO₄	97	110	144	0
Salpetersäure	HNO₃	61	Siedepunkt	144	0
Flusssäure + Salpetersäure	HF+HNO₃ (1:1)	100	80	288	-1,0
Salpetersäure + Schwefelsäure	HNO₃+H₂SO₄ (1:1)	100	25	288	-1,0
Natriumhydroxid	NaOH	20	80	288	0
Phosphorsäure	H₃PO₄	100	100	192	-1,0
Königswasser	HCl+HNO₃ (3:1)	100	80	192	0

Reaktivität mit verschiedenen Substanzen (im Vakuum)

Reaktionspartner	Chemische Formel	1200 °C x 3 h	1600 °C x 3 h
Aluminium	Al	○	△
Bor	B	◎	◎
Kobalt	Co	△	×
Chrom	Cr	△	×
Kupfer	Cu	○	△
Eisen	Fe	×	×
Molybdän	Mo	◎	○
Nickel	Ni	◎	×
Blei	Pb	△	×
Silizium	Si	◎	○
Zinn	Sn	◎	△
Tantal	Ta	◎	◎
Titan	Ti	◎	○
Vanadium	V	◎	×
Wolfram	W	◎	○
Aluminiumoxid	Al₂O₃	◎	×
Boroxid	B₂O₃	◎	◎
Chromoxid (Ⅲ)	Cr₂O₃	◎	×
Eisenoxid (Ⅲ)	Fe₂O₃	×	×
Magnesiumoxid	MgO	◎	△
Manganoxid (IV)	MnO₂	◎	×
Bleioxid (Ⅱ)	PbO	○	△
Siliziumoxid	SiO₂	◎	△
Titanoxid (IV)	TiO₂	◎	○
Vanadiumoxid (V)	V₂O₅	◎	△
Zirkoniumoxid (IV)	ZrO₂	◎	○

◎...Keine Reaktion ○...Leichte Reaktion
△...Reaktion ×...Starke Reaktion

Schichteigenschaften

Kristallstruktur	β-SiC-Struktur (kubisches System)
Fülldichte	3,2 g/cm³
Zersetzungstemperatur	2700 °C oder höher
Härte	2800 HK
Spezifischer elektrischer Widerstand	0,2 Ωm (mittels Spannungsabfallmethode)
Biegefestigkeit	170 MPa (mittels Dreipunktbiegung)
Elastizitätsmodul	320 GPa (mittels Durchbiegemethode)

Beispiel einer Verunreinigungsanalyse (Massen-ppm)

Element	Gehalt
B	0,15
Na	0,02
Al	0,01
Cr	< 0,1
Fe	0,02
Ni	< 0,01

* Messmethode: Glimmentladungs-Massenspektrometrie
* Die gennanten Werte sind Messbeispiele und werden nicht garantiert.
Bevor Sie eines unserer Produkte verwenden, sehen Sie bitte in unserem Katalog nach und wenden Sie sich an unsere Vertriebsabteilung, um sich bei der Auswahl der am besten geeigneten Güteklasse beraten zu lassen.